[发明专利]线路的制造方法无效
申请号: | 201310495279.0 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103811333A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 许力介;郭晓文;陈维钏 | 申请(专利权)人: | 杰圣科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;G06F3/041;H05K3/06 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 中国台湾台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线路 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种线路的制造方法。具体地,本发明涉及一种通过增加保护层或施压于保护层而使之覆盖导电层,以避免蚀刻过程中的过度蚀刻,进而获得精准线路图案的线路制造方法。
背景技术
目前信息产品中,例如手机、计算机以及导航通讯装置,对于印刷电路板或触控面板的需求逐渐提高,相对地对面板的线路的精确度以及成品率的要求也提高了许多。以往传统的电路板是采用印刷抗蚀剂的方法来制造电路的线路及图案的,但由于电子产品的尺寸逐渐微小化与精细化,目前电路多采用压膜或涂布光刻胶层,经过曝光显影后,再通过蚀刻制作出电路板,而在前述制造过程中,蚀刻过程最不易控制且容易因过度浸蚀造成线路图案精准度差或产生蚀刻断线,从而降低成品率。
线路图案化的制造过程包括在基板上形成导电薄膜层,再对基板上的该导电薄膜层进行蚀刻。目前蚀刻的方式有两种,分别为湿式蚀刻与干式蚀刻,其中制造图案化的公知方法是采用两道蚀刻制程,而二次蚀刻的结果常会造成线路图案化的线路尺寸较原预定的小,且破坏导电薄膜层的导电性。并且由于导电薄膜层大多由结晶型氧化物所组成,其蚀刻速率与稳定性不易控制,具有易造成蚀刻不均、产品成品率降低以及增加制造成本等缺点。
综上所述,对于线路的制造过程中所产生的蚀刻缺点,目前没有任何可控制前述线路图案化的精准度的良好方案,仍待进一步地研究并加以解决。
发明内容
本发明的目的在于解决线路蚀刻过程中的过度侧蚀的问题。为此,本发明公开了一种在导电薄膜层表面施加保护层的方法,使导电薄膜层在蚀刻过程中受到保护而可保持预定图案化的线路,从而得到精准、高成品率的图案化线路。
本发明涉及一种线路的制造方法,其包括下列步骤:提供基板,在基板上依顺序形成第一导电薄膜层以及第二导电薄膜层;在基板的第二导电薄膜层上形成第一图案化保护层,蚀刻第二导电薄膜层至露出局部的第一导电薄膜层;形成第二图案化保护层于第一图案化保护层之上,并使第二图案化保护层覆盖第二导电薄膜层的侧面;以及蚀刻第一导电薄膜层。
优选地,所述形成第二图案化保护层于第一图案化保护层上的方法,还包括:形成光刻胶层于第一图案化保护层上,曝光该光刻胶层,以及显影该光刻胶层。
优选地,形成第一图案化保护层及第二图案化保护层的方法,可通过光刻法、网版印刷法、喷涂法、旋转涂布法或狭缝式涂布法来形成。
优选地,第一图案化保护层及第二图案化保护层可为干膜光刻胶层、液态光刻胶层、聚合物层或油墨层。
优选地,第二图案化保护层进一步覆盖第一导电薄膜层的部分表面、第二导电薄膜层的侧面及第一图案化保护层的表面。
优选地,基板可为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰胺(PA)、用于电路板(PCB)的树脂、硅、玻璃、塑料、金属或陶瓷。
另一方面,本发明进一步提供另一种线路的制造方法,其包括下列步骤:提供基板,在基板上依顺序形成第一导电薄膜层以及第二导电薄膜层;形成第一图案化保护层于第二导电薄膜层之上,蚀刻第二导电薄膜层至露出局部的第一导电薄膜层;对第一图案化保护层施加压力,使该第一图案化保护层覆盖于第二导电薄膜层的侧面;以及对第一导电薄膜层进行蚀刻。
优选地,第一图案化保护层的表面积大于第二导电薄膜层的表面积。
优选地,第一图案化保护层可为干膜光刻胶层、液态光刻胶层、聚合物层或油墨层。
优选地,对第一图案化保护层施加压力的方法可为热压法或辊压法。
优选地,基板可为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰胺(PA)、用于电路板的树脂、硅、玻璃、塑料、金属或陶瓷。
附图说明
图1a是本发明的第一图案化保护层的示意图。
图1b是本发明的蚀刻第二导电薄膜层的示意图。
图1c是本发明的形成第二图案化保护层的示意图。
图1d是本发明的蚀刻具有第二图案化保护层的第一导电薄膜层的示意图。
图2a是本发明的蚀刻第一图案化保护层以及第二导电薄膜层的示意图。
图2b是蚀刻第二导电薄膜层的示意图。
图2c是对第一图案化保护层施加压力以被覆第二导电薄膜层的示意图。
图2d是对第一导电薄膜层进行蚀刻的示意图。
图2e是本发明蚀刻完成的基板的示意图。
具体实施方式
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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