[发明专利]一种高方阻扩散工艺

摘要

本发明公开了一种高方阻扩散工艺，包括低温进舟、低温稳定、边升温边沉积、高温沉积、高温推进、边降温边推进、低温沉积和低温出舟步骤，其中：边升温边沉积步骤：通入氮气10L/min、氧气400ml/min、携带三氯氧磷的氮气900ml/min，控制炉管温度≤830℃，升温速率≤1℃/min；边降温边推进步骤：通入氮气10L/min，控制炉管温度≤810℃，升温速率≥10℃/min。采用四探针测试扩散后硅片的方块电阻，平均值为95Ω/sq。本发明兼容了传统结构电池扩散工艺接触电阻低和SE结构电池扩散工艺短波响应好的优势，不仅提高了电池转换效率，且制造成本低。 

主权项

一种高方阻扩散工艺，其特征在于，包括低温进舟、低温稳定、边升温边沉积、高温沉积、高温推进、边降温边推进、低温沉积和低温出舟步骤，其中：（1）低温进舟：将硅片放入扩散炉中，设置炉管温度为790℃，并通入氮气6～12L/min；（2）低温稳定：进舟后通入氮气6～12L/min，控制炉管温度≤790℃；（3）边升温边沉积：通入氮气10 L/min、氧气400ml/min、携带三氯氧磷的氮气900 ml/min，控制炉管温度≤830℃，升温速率≤1℃/min；（4）高温沉积：通入氮气10 L/min、氧气400ml/min、携带三氯氧磷的氮气900 ml/min，控制炉管温度≤830℃，时间为2分钟；（5）高温推进：通入氮气10 L/min，控制炉管温度≤830℃，时间为1分钟；（6）边降温边推进：通入氮气10 L/min，控制炉管温度≤810℃，升温速率≥10℃/min；（7）低温沉积：通入氮气10 L/min、氧气400ml/min、携带三氯氧磷的氮气900 ml/min，控制炉管温度≤810℃，时间为10分钟；（8）低温出舟：通入氮气6～12 L/min，控制炉管温度≤790℃；采用四探针测试扩散后硅片的方块电阻，平均值为95Ω/sq。