[发明专利]一种深紫外二极管外延片、芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310488021.8 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103682025A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 方妍妍;吴志浩;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 武汉光电工业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 430075 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种深紫外二极管外延片。所述外延片，从下至上依次包括：衬底，低温AlN成核层，高温AlN本征层，n型AlxGa1-xN层，AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层、p型AluGa1-uN电子阻挡层、p型GaN层。本发明还提供一种基于所述外延片制备的芯片及芯片的制备方法。本发明提供的外延片和芯片选择采用具有高紫外光反射性的Al材料作为电极材料，不但可以部分消除受主型Al阳离子空位缺陷，还可将大部分紫外光反射回去。本发明提供的深紫外二极管芯片的制备方法，外延片通过在合适条件下在N2+NH3气氛退火，可部分消除N空位缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 二极管 外延 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种深紫外二极管外延片，其特征在于，包括：衬底，设置在所述衬底上的低温AlN成核层，设置在所述低温AlN成核层上的高温AlN本征层，设置在所述高温AlN本征层上的n型AlxGa1‑xN层，设置在所述n型AlxGa1‑xN层上的AlyGa1‑yN/AlzGa1‑zN多量子阱层、设置在所述AlyGa1‑yN/AlzGa1‑zN多量子阱层上的p型AluGa1‑uN电子阻挡层、设置在所述p型AluGa1‑uN电子阻挡层上的p型GaN层。
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