[发明专利]稀土烧结磁体及其制造方法在审
申请号: | 201310486338.8 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN103779035A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 中村元 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及一种稀土烧结磁体及其制造方法。更具体涉及使含有超过Nd |
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搜索关键词: | 稀土 烧结 磁体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.用于制备R-Fe-B稀土烧结磁体的方法,该磁体包含作为主相的Nd2 Fe14 B晶体相,其中R为选自包括Sc和Y在内的稀土元素中的一种元素或两种以上元素的组合,且主要含有Nd和/或Pr,所述方法以下述顺序包括步骤:制备微晶合金粉末的步骤(A),该步骤(A)由如下构成带坯连铸合金的子步骤(a):该合金具有组成R1 a Tb Mc Ad ,其中R1 为选自包括Sc和Y在内的稀土元素中的一种元素或两种以上元素的组合,且主要含有Nd和/或Pr,T为Fe或者Fe和Co,M为选自Al、Cu、Zn、In、P、S、Ti、Si、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Hf、Ta和W的两种或更多种元素的组合,且主要含有Al和Cu,A为硼或者硼和碳,表示合金中的原子百分数的“a”-“d”在以下范围内:12.5≤a≤18,0.2≤c≤10,5≤d≤10,且余量为b,且由Nd2 Fe14 B晶体相的晶粒和富R1 相的析出晶粒组成,富R1 相的晶粒以使得析出晶粒之间的平均距离为至多20μm的分布而析出,由此获得带坯连铸合金,HDDR处理的子步骤(b):在氢气氛中于700-1000℃下加热该带坯连铸合金以诱使Nd2 Fe14 B晶体相歧化成R1 氢化物、Fe和Fe2 B的歧化反应,然后在降低的氢分压下于700-1000℃下加热该带坯连铸合金以将它们复合成Nd2 Fe14 B晶体相,由此形成具有0.1-1μm的平均晶粒尺寸的亚微米晶粒,由此获得HDDR处理的合金,富R1 相的扩散处理的子步骤(c):在真空中或惰性气氛中于600-1000℃的温度下加热HDDR处理的合金1-50小时,由此获得微晶合金,该微晶合金具有由Nd2 Fe14 B主相晶粒组成的组织形态,所述主相晶粒具有0.1-1μm的平均晶粒尺寸,以及以4-10nm的平均宽度包围所述主相晶粒的富R1 晶界相,和将微晶合金粗粉碎成微晶合金粉末,用于由此制备由Nd2 Fe14 B晶体相的亚微米晶粒和富R1 晶界相组成的微晶合金粉末,所述亚微米晶粒具有0.1-1μm的平均晶粒尺寸,且富R1 晶界相以4-10nm的平均宽度包围亚微米晶粒,将微晶合金粉末粉碎成细粉末的步骤(B),在磁场中将细粉末压制成生坯的步骤(C),和在真空中或惰性氛围中于900-1100℃下加热该生坯用以烧结的步骤(D),由此产生具有0.2-2μm的平均晶粒尺寸的R-Fe-B的稀土烧结磁体。
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