[发明专利]含有CF2S桥键的液晶单体化合物及合成方法有效

专利信息
申请号: 201310485905.8 申请日: 2013-10-16
公开(公告)号: CN103571498A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 别国军;杨学军;杜渭松;高嫒嫒;宋宽广;刘小岐;张延魏;徐磊;张旺财;辛兴东;邓登 申请(专利权)人: 西安彩晶光电科技股份有限公司
主分类号: C09K19/28 分类号: C09K19/28;C07C323/09;C07C323/20;C07C319/14
代理公司: 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 代理人: 李郑建
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种含有含-CF2S-桥键的液晶单体化合物及其制备方法,该液晶单体化合物的结构通式如下:其中,R为C1~C10的直链烷基,X1、X2、X3、X4为H或F,Y为H、F、CF3或OCF3中的一种。制备方法采用Suzuki反应,低温溴代以及醚化反应制备,原料易得,合成路线简单,适宜规模化生产。
搜索关键词: 含有 cf sub 液晶 单体 化合物 合成 方法
【主权项】:
1.一种含-CF2S-桥键的液晶单体化合物,其特征在于,该液晶单体化合物的通式结构为:其中,R为C1~C10的直链烷基,X1、X2、X3、X4为H或F,Y为H、F、CF3或OCF3中的一种。
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