[发明专利]含有CF2S桥键的液晶单体化合物及合成方法

权利要求书

1.一种含-CF₂S-桥键的液晶单体化合物，其特征在于，该液晶单体化合物的通式结构为：

其中，R为C₁～C₁₀的直链烷基，X₁、X₂、X₃、X₄为H或F，Y为H、F、CF₃或OCF₃中的一种。

2.如权利要求1所述的含-CF₂S-桥键的液晶单体化合物，其特征在于，所述的R为C₃～C₇的直链烷基；X₁、X₂、X₃、X₄为F；Y为F、CF₃或OCF₃。

3.如权利要求2所述的含-CF₂S-桥键的液晶单体化合物，其特征在于，所述R为的C₃～C₅的直链烷基；X₁、X₃为F，X₂、X₄为H；Y为F或CF₃。

4.如权利要求3所述的含-CF₂S-桥键的液晶单体化合物，其特征在于，所述液晶单体化合物的具体结构如下：

其中R为C₃～C₅直链烷基。

5.权利要求1～4所述的-CF₂S-桥键的液晶单体化合物的制备方法，其特征在于，该方法的反应过程如下所示：

化合物（a）与化合物（b）在碱性条件下得到化合物（c）；

其中，X为Cl、Br或I；R为C₁～C₁₀的直链烷基，X₁、X₂、X₃、X₄为H或F，Y为H、F、CF₃或OCF₃中的一种。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的X为Br，R为C₃～C₅的直链烷基；X₁、X₂、X₃、X₄为F，Y为F、CF₃或OCF₃。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的X为Br，R为C₃～C₅的直链烷基；X₁、X₃优选为F；X₂、X₄优选为H；Y为F或CF₃。