[发明专利]掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法有效
申请号: | 201310476007.6 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN104570589B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 潘光燃;王焜;石金成;高振杰;文燕 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44;G03F7/20 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法,用以解决现有技术中存在的测量步进精度过程复杂的问题。该掩模板包括:位于矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被保留的第一步进精度测量图案和第三步进精度测量图案,以及位于矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被刻蚀的第二步进精度测量图案和第四步进精度测量图案。 | ||
搜索关键词: | 步进 掩模板 精度测量 光刻 图案 矩形曝光区域 测量 光刻胶 刻蚀 保留 | ||
【主权项】:
1.一种掩模板,其特征在于,以所述掩模板的矩形曝光区域的中心为坐标原点,X轴与矩形曝光区域的一对边平行,Y轴与矩形曝光区域的另一对边平行的X‑Y坐标系中,所述掩模板包括:位于所述矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被保留的第一步进精度测量图案和第三步进精度测量图案,以及位于所述矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被刻蚀的第二步进精度测量图案和第四步进精度测量图案;所述第一步进精度测量图案和所述第二步进精度测量图案位于Y轴两侧、在Y轴上的投影有重叠,且均有两条垂直于X轴的平行边线,所述第一步进精度测量图案的两条垂直于X轴的平行边线之间的距离大于所述第二步进精度测量图案的两条垂直于X轴的平行边线之间的距离;所述第一步进精度测量图案的中心与所述第二步进精度测量图案的中心在X轴上投影的距离为光刻机在X方向的步进长度;所述第三步进精度测量图案和所述第四步进精度测量图案位于X轴两侧、在X轴上的投影有重叠,且均有两条垂直于Y轴的平行边线,所述第三步进精度测量图案的两条垂直于Y轴的平行边线之间的距离大于所述第四步进精度测量图案的两条垂直于Y轴的平行边线之间的距离;所述第三步进精度测量图案的中心与所述第四步进精度测量图案的中心在Y轴上投影的距离为光刻机在Y方向的步进长度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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