[发明专利]基板热处理设备和方法有效
| 申请号： | 201310473203.8 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104008954B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 安成国;许俊;尹钟现;朴暻完;康浩荣;李炳一 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王秀君 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基板热处理设备和方法。根据本发明的实施例，提供了一种基板热处理设备，该基板热处理包括：内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；外壳，被构造为覆盖内壳，并具有至少一个气孔；至少一个加热器，被构造为加热基板，其中，所述至少一个气孔被构造为允许第一气体被注入到内壳和外壳之间的空间中。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板热处理设备，包括：内壳，被构造为形成容纳至少一个基板的基板容纳空间；外壳，被构造为覆盖内壳，并具有至少一个气孔；至少一个加热器，被构造为插入到形成在内壳和外壳中的加热器孔中，以支撑并加热基板，其中，所述至少一个气孔被构造为允许第一气体被注入到内壳和外壳之间的空间中，其中，所述空间由外壳的内表面和内壳的外表面限定，其中，气孔设置在外壳处，其中，第一气体完全地填充所述空间，并且其中，形成在内壳中的加热器孔允许第一气体或位于基板容纳空间中的第二气体通过。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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