[发明专利]用于生产薄膜太阳能电池的方法

摘要

本发明提出一种生产衬顶构造或衬底构造的太阳能电池的方法。根据本发明的方法是一种使由于CdS层中的吸收而引起的损失最小化并且除去CdCl₂活化处理步骤的有效方法。这通过在太阳能电池的CdS层和CdTe层之间施加金属卤化物牺牲层来实现。

主权项

1.一种用于生产衬顶构造的太阳能电池的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：a.提供透明衬底，b.施加透明的前接触层，c.施加CdS层，d.施加金属卤化物化合物的牺牲层，e.施加CdTe层并分解所述牺牲层，包括将金属离子中的大部分扩散到所述CdS层中并且将卤化物离子中的大部分扩散到所述CdTe层中，f.施加后接触层，其特征在于,步骤e在100℃到小于550℃的范围中的温度下执行。