[发明专利]用于生产薄膜太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种用于生产衬顶构造的太阳能电池的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

a.提供透明衬底，

b.施加透明的前接触层，

c.施加CdS层，

d.施加金属卤化物化合物的牺牲层，

e.施加CdTe层并分解所述牺牲层，包括将金属离子中的大部分扩散到所述CdS层中并且将卤化物离子中的大部分扩散到所述CdTe层中，

f.施加后接触层，

其特征在于,步骤e在100℃到小于550℃的范围中的温度下执行。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前接触层包括高阻缓冲层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤e中，来自具有高达25％的百分比的总层厚度的第一部分层的所述CdTe层在室温到200℃的温度范围中被生产，并且其余的第二CdTe部分层在350℃到550℃的温度范围中被生产。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤e之后且在步骤f之前，执行附加的CdCl₂活化步骤。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤e之后，执行在300℃到450℃的范围中的温度下的温度处理步骤。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述牺牲层由ZnCl₂或ZnCl₂衍生物形成。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述牺牲层还包括适于增大所述CdS层的带隙的其它金属氯化物。

8.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的金属卤化物化合物在步骤d中被溶解在溶剂中。

9.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的金属卤化物化合物由作为金属的Zn和作为卤素的氟或氯组成。

10.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的金属卤化物化合物含有在所述金属卤化物化合物的化学计量比之上的另外的氟或氯。

11.一种用于生产衬底构造的太阳能电池的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

a.提供衬底，

b.施加后接触层，

c.施加CdTe层，

d.施加金属卤化物化合物的牺牲层，

e.施加CdS层并分解所述牺牲层，包括将金属离子中的大部分扩散到所述CdS层中并且将卤化物离子中的大部分扩散到所述CdTe层中，

f.施加透明的前接触层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述前接触层包括高阻缓冲层。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在步骤e中，来自具有高达75％的百分比的总层厚度的第一部分层的所述CdTe层在350℃到550℃的温度范围中被生产，并且其余的第二CdTe部分层在室温到200℃的温度范围内被生产。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在步骤c中，来自具有高达25％的百分比的总层厚度的第一部分层的所述CdS层在100℃到200℃的温度范围中被生产，并且其余的第二CdS部分层在350℃到550℃的温度范围内被生产。

15.根据权利要求11-14中任一项所述的方法，其特征在于，步骤e在100℃到小于550℃的范围中的温度下执行。