[发明专利]相变存储器接触电极的制备方法及相变存储器接触电极在审
| 申请号： | 201310471274.4 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103515535A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 孔涛;卫芬芬;黄荣;张杰;程国胜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的相变存储器接触电极的制备方法和相变存储器接触电极，在沉积有金属催化剂层的加热电极表面沉积石墨烯层，有效利用了石墨烯的高平整度，而且仅在覆盖有催化剂的加热电极表面进行沉积，无需进一步的平坦化工艺，工艺简单；同时，石墨烯具有紧密的碳原子排列，其中的层内碳原子之间按照sp2杂化的共价键结合，具有较强的作用力，可极大地抑制相变存储材料原子扩散入加热电极之中，从而保证了相变存储材料与加热电极的组分与物性的一致；另外，石墨烯厚度可控制在0.3～10nm，且具有极高的导热系数，保证了加热电极效率，能很好地满足相变存储器的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 接触 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器接触电极的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：在加热电极表面沉积金属催化剂层，所述加热电极的尺寸为20～150nm；在沉积有金属催化剂层的加热电极表面沉积石墨烯层，所述石墨烯为还原石墨烯，所述石墨烯厚度为0.3～10nm；及再在经上述步骤处理后的加热电极表面沉积相变存储材料层。
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