[发明专利]一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法在审
| 申请号： | 201310471034.4 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103515842A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 李艳平;陶利;陈娓兮;冉广照 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 陈美章 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用纳米压印技术在SOI片的硅层上制备出具有多波长光栅结构的硅波导阵列图形；2）利用刻蚀技术在SOI片的硅层上制备出具有多波长光栅结构的硅波导阵列；3）选取或制备一多量子阱光增益结构阵列；4）以多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将多量子阱光增益结构阵列中的每个光增益区与SOI片上的硅波导阵列中的每个硅波导光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。本发明具有工艺简单，成本低，周期短，能大面积、大规模生产，并且能够在较大的范围内调节输出波长等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 压印 制备 波长 混合 激光器 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法，其步骤为：1）利用纳米压印技术在SOI片的硅层上制备出具有多波长光栅结构的硅波导阵列图形；2）利用刻蚀技术在所述SOI片的硅层上制备出具有多波长光栅结构的硅波导阵列；3）选取或制备一多量子阱光增益结构阵列；其中，该多量子阱光增益结构阵列中的每个多量子阱光增益结构与所述SOI片上的每一硅波导相对应；4）以所述多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将所述多量子阱光增益结构阵列中的每个光增益区与所述SOI片上的硅波导阵列中的每个硅波导光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310471034.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防盗锁定机构
- 下一篇：带下置手提的拉链自立袋
