[发明专利]高压二极管有效
| 申请号： | 201310470104.4 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103779429B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 林欣;杨宏宁;左将凯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种槽隔离的RESURF二极管结构(100)，其包括衬底(150)，其中在衬底中，形成了通过浅槽隔离区域(114、115)彼此分离开的阳极接触区域(130、132)和阴极接触区域(131)，连同非均匀的阴极区域(104)和外围阳极区域(106、107)，其定义了位于阳极接触区域(130、132)下面的垂直和水平p‑n结，包括被重掺杂阳极端子接触区域遮蔽的水平阴极/阳极结。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极接触 衬底 阴极 二极管结构 高压二极管 阳极 彼此分离 接触区域 浅槽隔离 阳极端子 阳极区域 阴极接触 阴极区域 非均匀 重掺杂 遮蔽 种槽 垂直 外围 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种半导体二极管器件，包括：半导体衬底区域；隔离结构，用于电隔离所述半导体衬底区域；重掺杂第一端子接触区域，其具有第一导电类型，形成于所述半导体衬底区域中；重掺杂第二端子接触区域，其具有第二导电类型，位于所述半导体衬底区域中，与所述重掺杂第一端子接触区域间隔开；第一端子阱区，其具有所述第一导电类型，位于所述半导体衬底区域中并且在所述重掺杂第一端子接触区域的第一部分下面；第二端子阱区，其具有所述第二导电类型，位于所述半导体衬底区域中，包括位于所述重掺杂第二端子接触区域周围的深的部分和从所述深的部分延伸到所述第一端子阱区的浅的部分，其中所述浅的部分的外围部分位于所述重掺杂第一端子接触区域的第二部分下面。
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