[发明专利]化合物半导体器件和其制造方法有效
| 申请号： | 201310459388.7 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103715253B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 吉川俊英;温井健司 | 申请（专利权）人： | 创世舫电子日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种化合物半导体器件和其制造方法。化合物半导体器件包括：化合物半导体层；以及形成在化合物半导体层上方的栅电极；以及形成在化合物半导体层上的栅电极两侧上的源电极和漏电极，其中源电极在与化合物半导体层的接触表面中具有沿着转移电子的多个底部表面，并且多个底部表面位于距转移电子不同距离处，越接近栅电极的底部表面越远离转移电子。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；以及形成在所述化合物半导体层上侧上的电极对，其中，所述电极对为源极和漏极；所述漏极在与所述化合物半导体层的接触表面中具有沿着转移电子的多个底部表面，并且所述多个底部表面位于距所述转移电子不同距离处，越接近所述源极的所述底部表面越远离所述转移电子；以及其中，在所述漏极中，与所述接触表面中的所述底部表面中预定的邻近的两个底部表面接合的侧表面为锥形形状，所述侧表面越远离所述源极的部分越接近所述转移电子。
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