[发明专利]一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法有效
| 申请号： | 201310459347.8 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103529310A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 魏学成;赵丽霞;张连;于治国;王军喜;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法，该方法包括制作GaN基LED测试样品，利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压，对所述测试样品的n电极接正电压，p电极接负电压，形成反向偏压，对所述测试样品施加等于光电压的反向偏压，测量其光致发光谱，并记录其发光波长，然后分步增大反向偏压，并测量其光谱和波长，在波长由逐渐变短转为变长时，停止增大反向偏压并停止测量，利用停止测量时的反向偏压减去光电压得到所述测试样品的极化电压，根据该极化电压计算测试样品的极化电场。本发明对样品要求简单，制样方便，可以较快地获得测试结果，有利于满足生产和研发工艺中对测试数据的迫切需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 光致发光 测量 gan led 极化 电场 方法 | ||
【主权项】：
一种测量GaN基LED极化电场的方法，包括如下步骤：步骤S1：制作GaN基LED测试样品，所述测试样品白下至上依次为衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层，p型层和n型层上分别具有p电极和n电极；步骤S2：利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压；步骤S3：对所述测试样品的n电极接正电压，p电极接负电压，形成反向偏压；步骤S4：对所述测试样品施加等于光电压的反向偏压，测量其光致发光谱，并记录其发光波长，然后分步增大反向偏压，并测量其光谱和波长，在波长由逐渐变短转为变长时，停止增大反向偏压并停止测量；步骤S5：利用步骤S4停止测量时的反向偏压减去步骤S2得到的光电压得到所述测试样品的极化电压，根据该极化电压计算测试样品的极化电场。
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