[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310456066.7 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104518022A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李琮雄;张睿钧 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法，其中，所述横向双扩散金属氧化物半导体装置包括：半导体基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；井区，位于该半导体基板的一部内；栅极结构，位于该半导体基板的一部上；第一掺杂区，位于邻近该栅极结构的一第一侧的该井区层的一部内；一第二掺杂区，位于该栅极结构的一第二侧的该井区的一部内；第三掺杂区，位于该第一掺杂区的一部内；一第四掺杂区，位于该第二掺杂区的一部内；第一沟槽，位于该第三掺杂区、该第一掺杂区、该井区与该半导体基板的一部中；导电接触物，位于该第一沟槽内；第二沟槽，位于邻近该半导体基板的该第二表面的一部中；第一导电层，位于该第二沟槽内；以及第二导电层，位于该半导体基板的该第二表面以及该第一导电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，包括：一半导体基板，具有相对的一第一表面与一第二表面以及一第一导电类型；一井区，位于所述半导体基板的一部内，邻近所述第一表面且具有所述第一导电类型；一栅极结构，位于所述半导体基板的所述第一表面的一部上；一第一掺杂区，位于邻近所述栅极结构的一第一侧的所述井区层的一部内，具有所述第一导电类型；一第二掺杂区，位于相对所述栅极结构的所述第一侧的一第二侧的所述井区的一部内，具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型；一第三掺杂区，位于所述第一掺杂区的一部内，具有所述第二导电类型；一第四掺杂区，位于所述第二掺杂区的一部内，具有所述第二导电类型；一第一沟槽，位于所述第三掺杂区、所述第一掺杂区、所述井区与所述半导体基板的一部中；一导电接触物，位于所述第一沟槽内；一第二沟槽，位于邻近所述半导体基板的所述第二表面的一部中，其中所述第二沟槽露出所述导电接触物的一部；一第一导电层，位于所述第二沟槽内并接触所述导电接触物；以及一第二导电层，位于所述半导体基板的所述第二表面以及所述第一导电层上。
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