[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201310455829.6 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104517843B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域半导体衬底表面具有第一栅极结构，所述第二区域半导体衬底表面具有第二栅极结构；形成覆盖所述第一栅极结构、第二栅极结构和半导体衬底的侧墙膜；形成覆盖所述侧墙膜的抗反射涂层；形成位于第一区域抗反射涂层表面的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除第二区域的抗反射涂层；以所述光刻胶层为掩膜，回刻蚀第二区域的侧墙膜，在第二区域半导体衬底表面形成侧墙，且所述侧墙位于第二栅极结构两侧。本发明在提高形成光刻胶层精确度的同时，避免形成工艺对半导体衬底造成损伤，改善半导体衬底的平整度，提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域半导体衬底表面具有第一栅极结构，所述第二区域半导体衬底表面具有第二栅极结构；形成侧墙膜，所述侧墙膜覆盖所述第一栅极结构、第二栅极结构和半导体衬底的上表面；形成覆盖所述侧墙膜的抗反射涂层，所述抗反射涂层的顶部高于第一栅极结构或第二栅极结构的顶部；在所述第一区域的抗反射涂层表面形成光刻胶层；在形成侧墙膜之后，以所述光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀去除第二区域的抗反射涂层；在刻蚀去除第二区域的抗反射涂层之后，以所述光刻胶层为掩膜，回刻蚀第二区域的侧墙膜，在第二区域半导体衬底表面形成侧墙，且所述侧墙位于第二栅极结构两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
