[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201310455829.6 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104517843B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域半导体衬底表面具有第一栅极结构，所述第二区域半导体衬底表面具有第二栅极结构；
形成侧墙膜，所述侧墙膜覆盖所述第一栅极结构、第二栅极结构和半导体衬底的上表面；
形成覆盖所述侧墙膜的抗反射涂层，所述抗反射涂层的顶部高于第一栅极结构或第二栅极结构的顶部；
在所述第一区域的抗反射涂层表面形成光刻胶层；
在形成侧墙膜之后，以所述光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀去除第二区域的抗反射涂层；
在刻蚀去除第二区域的抗反射涂层之后，以所述光刻胶层为掩膜，回刻蚀第二区域的侧墙膜，在第二区域半导体衬底表面形成侧墙，且所述侧墙位于第二栅极结构两侧。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙膜为单层结构或多层结构。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙膜为单层结构时，所述侧墙膜为氮化硅层或氧化硅层；所述侧墙膜为多层结构时，所述侧墙膜为氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀工艺回刻蚀第二区域的侧墙膜。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用旋涂工艺形成所述抗反射涂层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述抗反射涂层的厚度为100埃至2000埃。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第一区域的抗反射涂层表面形成光刻胶层的形成步骤为：形成覆盖抗反射涂层的初始光刻胶层；通过曝光显影工艺，去除位于第二区域的抗反射涂层表面的初始光刻胶层，在所述第一区域的抗反射涂层表面形成光刻胶层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺为反应离子刻蚀。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述抗反射涂层为有机抗反射涂层。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括步骤：以所述光刻胶层为掩膜，在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底内形成掺杂区；去除所述光刻胶层和第一区域的抗反射涂层。
11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用灰化工艺去除光刻胶层和第一区域的抗反射涂层。
12.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂区为轻掺杂区或重掺杂区。
13.根据权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺形成所述掺杂区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
