[发明专利]光阳极、对电极及其形成的染料敏化太阳能电池无效
申请号: | 201310454778.5 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103680989A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 翁韬;钟志勇;马廷丽 | 申请(专利权)人: | 营口奥匹维特新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;H01G9/048 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
地址: | 115003 辽宁省营*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种光阳极,包括:第一衬底,并间隔设置电气隔离的至少第一导电层和第二导电层;纳米晶半导体层,分别设置在至少第一导电层和第二导电层上;第一互连线,分别设置在由至少第一导电层上的纳米晶半导体层和第二导电层上的纳米晶半导体层形成的第一有效光照区外侧。一种对电极,包括:第二衬底,间隔设置电气隔离的至少第三导电层和第四导电层;催化层,分别设置在至少第三导电层和第四导电层上;第二互连线,分别设置在由至少第三导电层和第四导电层形成的第二有效光照区外侧。本发明通过光阳极和对电极的结构设计,实现电子传输的串联电路设计,并增加有效光照面积,提高太阳能利用效率,获得更大的染料敏化太阳能电池之电压输出。 | ||
搜索关键词: | 阳极 电极 及其 形成 染料 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种光阳极,其特征在于,所述光阳极包括:第一衬底,并在所述第一衬底上间隔设置电气隔离的至少第一导电层和第二导电层;纳米晶半导体层,所述纳米晶半导体层分别设置在至少所述第一导电层和所述第二导电层上;第一互连线,所述第一互连线分别设置在至少所述第一导电层和所述第二导电层上,且位于由至少所述第一导电层上的纳米晶半导体层和所述第二导电层上的纳米晶半导体层形成的第一有效光照区之外侧。
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