[发明专利]栅氧生长方法在审
| 申请号： | 201310450743.4 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104517825A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 白晓娜;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅氧生长方法，包括如下步骤：将需要进行栅氧生长的圆片放入反应室内，通入氧气使得所述圆片置于氧气氛围下，接着对所述圆片进行升温直至温度升高至工艺温度；保持温度为工艺温度并维持氧气的通入，开始通入DCE使得所述圆片置于氧气和DCE的混合氛围下；保持温度为工艺温度并维持氧气和DCE的通入，开始通入氢气直至栅氧生长完成；关闭DCE、氢气和氧气的通入，开始通入氮气直至圆片降温至非工艺温度。这种栅氧生长方法通过添加含有Cl的气体DCE，在栅氧生长的步骤中，DCE由于热氧化而生成的Cl起了O与Si反应的催化剂的作用，从而大大提高了氧化速率。这种栅氧生长方法，相对于传统的干法氧化法，生产效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、将需要进行栅氧生长的圆片放入反应室内，通入氧气使得所述圆片置于氧气氛围下，接着对所述圆片进行升温直至温度升高至工艺温度；步骤二、保持温度为工艺温度并维持氧气的通入，开始通入DCE使得所述圆片置于氧气和DCE的混合氛围下；步骤三、保持温度为工艺温度并维持氧气和DCE的通入，开始通入氢气直至栅氧生长完成；步骤四、关闭DCE、氢气和氧气的通入，并开始通入氮气直至所述圆片降温至非工艺温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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