[发明专利]射频识别中的负载调制模块

摘要

本发明公开了一种射频识别中的负载调制模块，包括一耦合电路，用于将信号耦合到射频识别卡片端，或者将射频识别卡片端的负载调制信号耦合到读卡机端；一负载调制电路，与所述耦合电路的输出端相连接，用于将数字电路处理后的数据返回给读卡机；其中还包括一限幅电路，与所述负载调制电路的输出端相连接，用于对所述负载调制电路的输出进行限幅，并为该负载调制电路提供一可变电压；该可变电压跟随场强变化而变化，场强增大时，该可变电压也增高，场强降低时，该可变电压也降低；且在大场强时能控制负载调制电路导通，完成负载调制。本发明能够较好的改善大场强下的负载调制波形和负载调制深度，增强射频识别卡片的兼容性。

主权项

一种射频识别中的负载调制模块，包括：一耦合电路，用于将信号耦合到射频识别卡片端，或者将射频识别卡片端的负载调制信号耦合到读卡机端；一负载调制电路，与所述耦合电路的输出端相连接，用于将数字电路处理后的数据返回给读卡机；其特征在于，还包括：一限幅电路，与所述负载调制电路的输出端相连接，用于对所述负载调制电路的输出进行限幅，并为该负载调制电路提供一可变电压；该可变电压跟随场强变化而变化，场强增大时，该可变电压也增高，场强降低时，可变电压也降低；且在大场强时能控制负载调制电路导通，完成负载调制；所述负载调制电路由第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管，第一PMOS晶体管，第一反相器和第二反相器组成；第一NMOS晶体管的漏极与耦合电路的第二电感的一端相连接，该连接的节点作为天线的一连接端，设为ANT1端；第二NMOS晶体管的漏极与耦合电路的第二电感的另一端相连接，该连接的节点作为天线的另一连接端，设为ANT2端；第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的源极接地；第一NMOS晶体管的栅极与第二NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点设为A；第一反相器的输出端与第二反相器的输入端相连接，第二反相器的输出端与第一PMOS晶体管的栅极相连接；第一反相器的输入端作为负载调制电路的负载调制信号端输入负载调制信号DIN，并与第三NMOS晶体管的栅极相连接；第一PMOS晶体管的源极作为输入可变电压端输入可变电压VLIM，第三NMOS晶体管的源极接地；第一PMOS晶体管的漏极与第三NMOS晶体管的漏极与节点A相连接；所述限幅电路由第四NMOS晶体管～第十NMOS晶体管，以及一电阻组成；第四NMOS晶体管的栅极和漏极与所述ANT1端相连接，第五NMOS晶体管的栅极和漏极与所述ANT2端相连接，第四NMOS晶体管的源极与第五NMOS晶体管的源极相连接，其连接的节点设为B；第六NMOS晶体管的源极、第九NMOS晶体管的源极和第十NMOS晶体管的漏极与所述B点相连接；第六NMOS晶体管的栅极和漏极与第七NMOS晶体管的源极相连接，第七NMOS晶体管的栅极和漏极与第八NMOS晶体管的源极相连接，第八NMOS晶体管的栅极和漏极接地；第九NMOS晶体管的栅极与第六NMOS晶体管的栅极相连接，第九NMOS晶体管的漏极与所述电阻的一端相连接，该电阻的另一端接地；第九NMOS晶体管的漏极与所述电阻相连接的节点作为可变电压的输出端，输出可变电压VLIM；第十NMOS晶体管的栅极与可变电压VLIM的输出端相连接，其源极接地。