[发明专利]射频识别中的负载调制模块有效
申请号: | 201310447401.7 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN104518735B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 傅志军;马和良 | 申请(专利权)人: | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
主分类号: | H03C3/40 | 分类号: | H03C3/40;G06K7/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 识别 中的 负载 调制 模块 | ||
技术领域
本发明涉及模拟集成电路中负载调制电路领域,特别是涉及一种射频识别中的负载调制模块。
背景技术
在射频识别中,射频识别卡片需要耦合读卡机发出来的模拟信号,并解调出读卡机发出的数据再送给数字电路处理,数字电路将处理后的数据再经过负载调制电路返回给读卡机,这就完成了整个通讯过程。将数据返回给读卡机的过程就是负载调制,负载调制的波形和负载调制深度不好,会影响读卡机对数据的解调,因此负载调制电路非常重要和关键。
参见图1,在传统的负载调制电路中,NMOS晶体管MN3就相当于一个开关,调制的时候就导通,不调制的时候就关闭,DIN是控制信号,由数字电路提供并控制。MOS晶体管的导通和关闭会影响着天线上的信号,当MOS晶体管导通时,天线上的信号就会被拉下来,形成一个的凹槽,一个一个的凹槽信号就是负载调制波形,在这些波形中带有数据,最后再由读卡机解调出来。这种结构的优点是简单,容易实现,工作在小场强下,负载调制波形和负载调制深度都还不错;缺点是工作在大场强下,负载调制波形和负载调制深度都变差,读卡机难以解调,或者容易导致读卡机解调错误。如果读卡机解调出错,整个通讯也就失败了。因此在各个场强下都具有较好的负载调制波形和较大的负载调制深度都是非常重要的。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种射频识别中的负载调制模块,能够较好的改善大场强下的负载调制波形和负载调制深度,增强射频识别卡片的兼容性。
为解决上述技术问题,本发明的射频识别中的负载调制模块,包括:
一耦合电路,用于将信号耦合到射频识别卡片端,或者将射频识别卡片端的负载调制信号耦合到读卡机端;
一负载调制电路,与所述耦合电路的输出端相连接,用于将数字电路处理后的数据返回给读卡机;其中还包括:一限幅电路,与所述负载调制电路的输出端相连接,用于对所述负载调制电路的输出进行限幅,并为该负载调制电路提供一可变电压;该可变电压跟随场强变化而变化,场强增大时,该可变电压也增高,场强降低时,可变电压也降低;且在大场强时能控制负载调制电路导通,完成负载调制。
本发明的负载调制模块,通过一个随场强变化的可变电压来控制负载调制电路,当工作在小场强时,可变电压的电压值不大,可以很好的控制和完成信号的负载调制;当工作在大场强时,其电压值比较大,能够将天线波形拉下来,同样可以形成较好的负载调制波形和较大的负载调制深度。因此本发明的负载调制电路不仅在小场强下的负载调制波形和负载调制深度好,大场强下的负载调制波形和负载调制深度也很好能更好的满足读卡机的解调;射频识别卡片能够较好的兼容各种读卡机,从而保证射频识别卡片的正常通讯,增强了射频识别卡片的兼容性。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1是现有的负载调制电路原理图;
图2是所述射频识别中的负载调制模块一实施例原理图。
具体实施方式
图2是本发明的一实施例,所述射频识别中的负载调制模块,包括:一耦合电路,与所述耦合电路的输出端相连接的一负载调制电路,与所述负载调制电路的输出端相连接的一限幅电路。为了改善大场强下的负载调制波形和负载调制深度,增强射频识别卡片的兼容性,所述负载调制电路通过一个可变电压,在大场强下来控制负载调制电路中NMOS晶体管MN1和MN2的开启,从而实现负载调制。
所述耦合电路,由电感L1,电感L2和电容C1组成。电容C1并联在电感L2的两端。输入信号IN通过电感L1和L2耦合到射频识别卡片端,与电容C1发生谐振;同时,将数据信号输入给射频电路,射频电路解调出数字信号传送给数字电路,数字电路将处理后的数据再返回给读卡机。数字电路处理后返回的数据以负载调制的方式返回,即数字电路通过控制图2中负载调制电路的负载调制信号端的负载调制信号DIN的电压值来实现负载调制。负载调制信号DIN由数字电路提供和控制。
所述负载调制电路由NMOS晶体管MN1、MN2和MN3,PMOS晶体管MP1,反相器INV1和反相器INV2组成。
NMOS晶体管MN1的漏极与耦合电路的电感L2的一端相连接,该连接的节点作为天线的一连接端ANT1端;NMOS晶体管MN2的漏极与耦合电路的电感L2的另一端相连接,该连接的节点作为天线的另一连接端ANT2端;NMOS晶体管MN1的源极与NMOS晶体管MN2的源极接地。NMOS晶体管MN1的栅极与NMOS晶体管MN2的栅极相连接,其连接的节点设为A。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹集成电路有限责任公司,未经上海华虹集成电路有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310447401.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电压跟随器放大器
- 下一篇:用于永磁同步电机的旋转变压器校准