[发明专利]用于改进MOS晶体管线性度的电路有效
| 申请号： | 201310445555.2 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103684279B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | S·杜萨德;V·潘塔卡塔 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了各种用于增强运行在线性区的金属氧化物半导体（MOS）晶体管的二次谐波失真的电路实施例。在其中一个实施例中，一种电路，其包括被配置为平均MOS晶体管的漏极和源极的信号并将平均后的信号提供到MOS晶体管栅极的平均电路，和一个或更多耦合在栅极的电流源；该电路被配置为改变栅极电压从而改变MOS晶体管的电阻。该平均电路包括耦合在漏极和栅极之间的第一MOS电路，与第一MOS电路并联耦合在漏极和栅极之间的第一电容器，耦合在源极和栅极之间的第二MOS电路和与第二MOS电路并联耦合在源极和栅极之间的第二电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 mos 晶体管 线性 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于增强包括栅极、源极和漏极的金属氧化物半导体即MOS晶体管的线性度的电路，所述电路包括：平均电路，其被配置为响应于所述漏极和所述源极的信号而在所述栅极提供信号，所述平均电路包含：第一MOS电路，其被配置为耦合在所述漏极和所述栅极之间，和第二MOS电路，其被配置为耦合在所述源极和所述栅极之间；和一个或更多与所述栅极耦合的电流源，所述一个或更多电流源被配置为改变所述第一和第二MOS电路中的电流以便改变所述栅极上的电压，并且从而改变所述MOS晶体管的电阻。
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