[发明专利]用于改进MOS晶体管线性度的电路

权利要求书

1.一种用于增强包括栅极、源极和漏极的金属氧化物半导体即MOS晶体管的线性度的电路，所述电路包括：

平均电路，其被配置为响应于所述漏极和所述源极的信号而在所述栅极提供信号，所述平均电路包含：

第一MOS电路，其被配置为耦合在所述漏极和所述栅极之间，

和

第二MOS电路，其被配置为耦合在所述源极和所述栅极之间；

和

一个或更多与所述栅极耦合的电流源，所述一个或更多电流源被配置为改变所述第一和第二MOS电路中的电流以便改变所述栅极上的电压，并且从而改变所述MOS晶体管的电阻。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一MOS电路和所述第二MOS电路的每一个包含源极跟随器MOS电路和电阻器。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一MOS电路包括：

源极跟随器MOS电路，其包括：

第一PMOS晶体管，其栅极节点与所述MOS晶体管的所述漏极耦合，和

第一电流源，其耦合在电源和所述第一PMOS晶体管的源极节点之间；和

第一电阻器，其将所述第一PMOS晶体管的所述源极节点与所述MOS晶体管的所述栅极耦合。

4.根据权利要求3所述的电路，其中所述第二MOS电路包括：

源极跟随器MOS电路，其包括：

第二PMOS晶体管，其栅极节点被配置为与所述MOS晶体管的所述源极耦合，和

第二电流源，其耦合在所述电源和所述第二PMOS晶体管的源极节点之间；和

第二电阻器，其将所述第二PMOS晶体管的所述源极节点与所述MOS晶体管的所述栅极耦合。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一PMOS晶体管的漏极节点和所述第二PMOS晶体管的漏极节点与衬底电压耦合。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述一个或更多电流源包括耦合在电源和所述栅极之间的电流源和耦合在所述栅极和衬底电压之间的电流吸收器。

7.根据权利要求6所述的电路，其中至少一个所述电流源和所述电流吸收器被配置为提供可变电流。

8.一种电路，其包括：

平均电路，其被配置为耦合金属氧化物半导体即MOS晶体管，所述MOS晶体管包括栅极、源极和漏极，并且所述平均电路被配置为将所述漏极和所述源极的信号的平均提供给所述栅极，所述平均电路包括：

第一MOS电路，其耦合在第一节点和第二节点之间，所述第一节点被配置为耦合到所述漏极，所述第二节点被配置为耦合到所述栅极，并且所述第一MOS电路被配置为响应所述第一节点的信号而在所述第二节点提供信号，

第一电容器，其与所述第一MOS电路并联在所述第一节点和所述第二节点之间，

第二MOS电路，其耦合在第三节点和所述第二节点之间，所述第三节点被配置为与所述源极耦合，并且所述第二MOS电路被配置为响应所述第三节点的信号在所述第二节点提供信号，和

第二电容器，其与所述第二MOS电路并联在所述第二节点和所述第三节点之间；和

一个或更多耦合所述第二节点的电流源，所述一个或更多电流源被配置为改变所述第一和第二MOS电路中的电流以便改变所述第二节点的电压，并且从而改变所述栅极电压来改变所述MOS晶体管的电阻。

9.根据权利要求8所述的电路，其中所述第一MOS电路和所述第二MOS电路的每一个包含源极跟随器MOS电路和电阻器，并且其中所述第一MOS电路和所述第二MOS电路被配置为在第一信号频率下平均所述漏极和所述源极的信号，而且其中所述第一电容器和所述第二电容器被配置为在第二信号频率下平均所述漏极和所述源极的信号，所述第二信号频率比所述第一信号频率高。