[发明专利]MOS晶体管及对应的形成方法有效
| 申请号： | 201310442522.2 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465789B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云;刘欣;施雪捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/41;H01L21/337;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管及对应的形成方法，所述MOS晶体管的形成方法包括在栅极结构两侧的半导体衬底内形成袋状区后，对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行刻蚀，去除部分袋状区，使得剩余的袋状区对应的半导体衬底表面低于栅极结构底部的半导体衬底表面，然后在刻蚀后的袋状区内形成轻掺杂源漏区。由于部分袋状区被去除，使得袋状区总的掺杂离子数变少，在经过退火扩散后，扩散后形成的袋状区的掺杂离子浓度会小于现有技术中经过退火扩散后袋状区的掺杂离子浓度，使得源漏区与衬底形成的PN结中轻掺杂一边的杂质浓度降低，从而使得源漏区寄生PN结电容变小，有利于提高MOS晶体管的高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 对应 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成袋状区；对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行刻蚀，去除部分袋状区，使得剩余的袋状区对应的半导体衬底表面低于栅极结构底部的半导体衬底表面；在刻蚀后的袋状区内形成轻掺杂源漏区；在所述栅极结构的侧壁形成侧墙；以所述侧墙和栅极结构为掩膜，在栅极结构和侧墙两侧的半导体衬底内形成重掺杂源漏区，所述轻掺杂源漏区和重掺杂源漏区构成MOS晶体管的源区和漏区；其中，对所述袋状区和轻掺杂源漏区进行退火处理，所述退火处理在形成侧墙之前进行、或在形成重掺杂源漏区后进行。
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