[发明专利]包含渐变厚度势磊的 LED 结构外延生长方法及其结构有效
| 申请号： | 201310441658.1 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103474537A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 赵云;林传强 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;郑隽 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，生长发光层MQW的步骤为：在温度为730-750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5-3nm的InxGa（1-x）N层，x=0.20-0.21；将反应室温度调节为800-840℃，通入R时长的三甲基镓，生长出厚度为D的第一个GaN层；重复生长InGaN层，通入0.75-0.95倍R时长的三甲基镓，生成厚度为0.75-0.95倍D的第二个GaN层；依次类推，GaN层厚度逐层减小。本发明改变了发光层的势磊GaN厚度，使其依次减少，从而改善电子和空穴的分布，提高LED光效。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 渐变 厚度 led 结构 外延 生长 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长不掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长发光层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，其特征在于，所述生长发光层MQW的步骤为：A、在温度为730‑750℃、100mbar到800mbar压力的反应室内，采用H2和/或N2作为载气，生长掺杂In的厚度为2.5‑3nm的InxGa（1‑x）N层，x=0.20‑0.21；将反应室温度调节为800‑840℃，通入总时长为R的三甲基镓，生长出厚度为D的第一个GaN层；B、将反应室温度调节为730‑750℃，生长掺杂In的厚度为2.5‑3nm的InxGa（1‑x）N层，x=0.20‑0.21，In的掺杂浓度为1E+20‑2E+20atom/cm3；将反应室温度调节为800‑840℃，通入三甲基镓；通入总时长为(0.75‑0.95)×R倍的三甲基镓，生长出厚度为(0.75‑0.95)×D的第二个GaN层；C、将反应室温度调节为730‑750℃，生长掺杂In的厚度为2.5‑3nm的InxGa（1‑x）N层，x=0.20‑0.21；将反应室温度调节为800‑840℃，通入三甲基镓；通入总时长为（0.75‑0.95）n×R倍的三甲基镓，三甲基镓的通入时长为上一个步骤通入时长R的0.75‑0.95倍，生长出厚度为（0.75‑0.95）n×D的第N个GaN层；D、重复C步骤，直至生成12‑16个InxGa（1‑x）N/GaN层。
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