[发明专利]一种自对准接触孔刻蚀工艺方法

摘要

本发明提供了一种自对准接触孔刻蚀工艺方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上从下至上依次形成有栅堆叠、保护层和层间介质层，在所述衬底内部、栅堆叠之间形成有源漏区；对层间介质层进行刻蚀形成接触孔的上半部分，至栅堆叠顶部上方的保护层停止；采用沉积与刻蚀循环的方法刻蚀栅堆叠之间的层间介质层形成接触孔的下半部分,停止在源漏区上方的保护层上；采用沉积与刻蚀循环的方法刻蚀源漏区上方的保护层形成接触孔的底部,停止在衬底的源漏区上。本发明通过采用沉积和刻蚀循环的方法，增加了刻蚀过程对栅堆叠侧壁的保护，减少了刻蚀对栅堆叠侧壁的损伤，降低了漏电风险。

主权项

1.一种自对准接触孔刻蚀工艺方法，该方法包括以下步骤：a)提供衬底(100)，在所述衬底上从下至上依次形成有栅堆叠、保护层(230)和层间介质层(310)，在所述衬底(100)内部、栅堆叠之间形成有源漏区(110)；b)对层间介质层(310)进行刻蚀至栅堆叠顶部上方的保护层(230)，以形成接触孔的上半部分；c)采用沉积与刻蚀循环的方法，刻蚀栅堆叠之间的层间介质层(310)至源漏区(110)上方的保护层(230)，以形成接触孔的下半部分，所述的沉积与刻蚀循环的方法包括：在Si2H6、SiH2Cl2、NH3和N2中任意一种气体下沉积SiN；利用C4F6、CO和Ar气体对栅堆叠之间的层间介质层(310)进行选择性刻蚀；以一定的频率循环重复以上两步，至露出源漏区(110)上方的保护层(230)时停止；d)采用沉积与刻蚀循环的方法，刻蚀源漏区(110)上方的保护层(230)至在衬底的源漏区(110)，以形成接触孔的底部，所述的沉积与刻蚀循环的方法包括：在Si2H6、SiH2Cl2、NH3和N2中任意一种气体下沉积SiN，沉积过程中加偏压；利用CHF3、O2和Ar气体对源漏区(110)上方的保护层(230)进行选择性刻蚀；以一定的频率循环重复以上两步，至露出源漏区(110)时停止。