[发明专利]一种对通孔刻蚀的工艺窗口进行量化监控的方法有效
| 申请号： | 201310432348.3 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103489810B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对通孔刻蚀的工艺窗口进行量化监控的方法，包括：设计出晶圆中具有多个金属通孔的特定结构，其中多个金属通孔的尺寸不完全相同，并且其中按照多个金属通孔的尺寸从大到小排列的方式排列多个金属通孔；对晶圆上的这个特定结构进行拍照，并利用电子显微镜观察多个金属通孔的亮度；确定亮度相差超过预定亮度阈值的两个相邻金属通孔，作为亮暗临界通孔；通过亮暗临界通孔的尺寸的偏移来监控通孔的刻蚀工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 工艺 窗口 进行 量化 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种对通孔刻蚀的工艺窗口进行量化监控的方法，其特征在于包括：设计出晶圆中具有多个金属通孔的特定结构，其中多个金属通孔的尺寸不完全相同，并且其中按照多个金属通孔的尺寸从大到小排列的方式排列多个金属通孔；对晶圆上的这个特定结构进行拍照，并利用电子显微镜观察多个金属通孔的亮度；确定亮度相差超过预定亮度阈值的两个相邻金属通孔，作为亮暗临界通孔；将亮暗临界通孔中亮度较小的通孔的尺寸与阈值尺寸进行比较，当亮暗临界通孔中亮度较小的通孔的尺寸大于阈值尺寸，则判断出现了刻蚀不足的情况；当亮暗临界通孔中亮度较小的通孔的尺寸小于阈值尺寸，则判断出现了过刻蚀的情况。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
