[发明专利]一种氮氧锌薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310426153.8 | 申请日: | 2013-09-17 |
公开(公告)号: | CN103474356A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 刘萍 | 申请(专利权)人: | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/363 | 分类号: | H01L21/363;C23C16/40 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518057 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮氧锌薄膜的制备方法,采用射频磁控溅射,以体积百分数99.9-99.999%的氮化锌靶为溅射靶材,靶材与衬底的距离为20-150mm,在一定的射频频率下,以体积百分数99.9-99.999%的氩气为溅射气体,衬底温度为25-150℃,在0.5-5W/cm2的功率密度下实施溅射,溅射室的背景真空小于1×10-7托,先以所述氩气预溅射一段时间,再以体积百分数99.9-99.999%的氧气为反应气体,氧气流量0.1-60sccm,氩气流量5-100sccm,溅射压强0.1-10.0Pa,获得氮氧锌薄膜,其中,Zn原子数占51-66%,N∶O=1∶3~2∶1。本发明解决了氮在氧化锌中固溶度低的问题,制备得到的n型氮氧锌薄膜的载流子迁移率较高,电阻率较低。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮氧锌 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氮氧锌薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:采用射频磁控溅射,以体积百分数为99.9‑99.999%的氮化锌靶为溅射靶材,溅射靶材与衬底的距离为20‑150mm,在一定的射频频率下,以体积百分数为99.9‑99.999%的氩气为溅射气体,衬底温度为25‑150℃,在0.5‑5W/cm2的功率密度下实施溅射,溅射室的背景真空小于1×10‑7托,先以所述氩气预溅射一段时间,再以体积百分数为99.9‑99.999%的氧气为反应气体,氧气流量为0.1‑60sccm,氩气流量为5‑100sccm,溅射压强控制在0.1‑10.0Pa之间,获得所述氮氧锌薄膜,所述氮氧锌薄膜中,Zn原子数占51‑66%,N∶O=1∶3~2∶1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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