[发明专利]存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法有效
| 申请号： | 201310425323.0 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104464824B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 王颖倩;李煜;王媛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，所述存储阵列包括多个呈阵列排布的存储单元，所述存储单元包括第一传输NMOS管、第二传输NMOS管、第一下拉NMOS管、第二下拉NMOS管、第一上拉PMOS管和第二上拉PMOS管，所述测试方法包括通过行译码和列译码在所述存储阵列中选中一存储单元；对与选中的存储单元连接的字线、第一位线、第二位线、第一电源线、第二电源线、第一衬底端和第二衬底端施加电压，测量与所述选中的存储单元连接的位线上的电流以获得所述选中的存储单元中的MOS管的阈值电压。本发明技术方案提供的存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，可以获得存储阵列中的大量MOS管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 中的 mos 阈值 电压 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，所述存储阵列包括多个呈阵列排布的存储单元，所述存储单元包括第一传输NMOS管、第二传输NMOS管、第一下拉NMOS管、第二下拉NMOS管、第一上拉PMOS管和第二上拉PMOS管，其特征在于，包括：通过行译码和列译码在所述存储阵列中选中一存储单元；对与选中的存储单元连接的字线、第一位线、第二位线、第一电源线、第二电源线、第一衬底端和第二衬底端施加电压，测量与所述选中的存储单元连接的位线上的电流以获得所述选中的存储单元中的任一一个MOS管的阈值电压。
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