[发明专利]存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法

权利要求书

1.一种存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，所述存储阵列包括多个呈阵列排布的存储单元，所述存储单元包括第一传输NMOS管、第二传输NMOS管、第一下拉NMOS管、第二下拉NMOS管、第一上拉PMOS管和第二上拉PMOS管，其特征在于，包括：

通过行译码和列译码在所述存储阵列中选中一存储单元；

对与选中的存储单元连接的字线、第一位线、第二位线、第一电源线、第二电源线、第一衬底端和第二衬底端施加电压，测量与所述选中的存储单元连接的位线上的电流以获得所述选中的存储单元中的任一一个MOS管的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，其特征在于，测试所述第一传输NMOS管的阈值电压包括：

将所述第二下拉NMOS管的栅极初始化为低电平，将所述第一下拉NMOS管的栅极初始化为高电平；

初始化结束后，施加所述存储阵列的电源电压至所述第一电源线、第一衬底端、第一位线和第二位线，施加0V电压至所述第二电源线和第二衬底端，以预定步进电压将所述字线的电压由0V电压扫描至所述存储阵列的电源电压；

在所述将所述字线的电压由0V电压扫描至所述存储阵列的电源电压期间，测量所述第一位线上的电流。

3.根据权利要求1所述的存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，其特征在于，测试所述第二传输NMOS管的阈值电压包括：

将所述第一下拉NMOS管的栅极初始化为低电平，将所述第二下拉NMOS管的栅极初始化为高电平；

初始化结束后，施加所述存储阵列的电源电压至所述第一电源线、第一衬底端、第一位线和第二位线，施加0V电压至所述第二电源线和第二衬底端，以预定步进电压将所述字线的电压由0V电压扫描至所述存储阵列的电源电压；

在所述将所述字线的电压由0V电压扫描至所述存储阵列的电源电压期间，测量所述第二位线上的电流。

4.根据权利要求1所述的存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，其特征在于，测试所述第一下拉NMOS管的阈值电压包括：

施加所述存储阵列的电源电压至所述第二电源线和第一衬底端，施加0V电压至所述第一位线和第二衬底端，施加控制电压至所述字线，以预定步进电压将所述第二位线和第一电源线的电压由0V电压扫描至所述存储阵列的电源电压，其中，所述控制电压高于所述存储阵列的电源电压；

在所述将所述第二位线和第一电源线的电压由0V电压扫描至所述存储阵列的电源电压期间，测量所述第一位线上的电流。

5.根据权利要求1所述的存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，其特征在于，测试所述第二下拉NMOS管的阈值电压包括：

施加所述存储阵列的电源电压至所述第二电源线和第一衬底端，施加0V电压至所述第二位线和第二衬底端，施加控制电压至所述字线，以预定步进电压将所述第一位线和第一电源线的电压由0V电压扫描至所述存储阵列的电源电压，其中，所述控制电压高于所述存储阵列的电源电压；

在所述将所述第一位线和第一电源线的电压由0V电压扫描至所述存储阵列的电源电压期间，测量所述第一位线上的电流。

6.根据权利要求1所述的存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，其特征在于，测试所述第一上拉PMOS管的阈值电压包括：

施加所述存储阵列的电源电压至所述第一位线和第一衬底端，施加0V电压至所述第一电源线和第二衬底端，施加控制电压至所述字线，以预定步进电压将所述第二位线和第二电源线的电压由所述存储阵列的电源电压扫描至0V电压，其中，所述控制电压高于所述存储阵列的电源电压；

在所述将所述第二位线和第二电源线的电压由所述存储阵列的电源电压扫描至0V电压期间，测量所述第一位线上的电流。

7.根据权利要求1所述的存储阵列中的MOS管阈值电压的测试方法，其特征在于，测试所述第二上拉PMOS管的阈值电压包括：

施加所述存储阵列的电源电压至所述第二位线和第一衬底端，施加0V电压至所述第一电源线和第二衬底端，施加控制电压至所述字线，以预定步进电压将所述第一位线和第二电源线的电压由所述存储阵列的电源电压扫描至0V电压，其中，所述控制电压高于所述存储阵列的电源电压；

在所述将所述第一位线和第二电源线的电压由所述存储阵列的电源电压扫描至0V电压期间，测量所述第二位线上的电流。