[发明专利]CMOS工艺恒定增益放大器无效
| 申请号： | 201310424308.4 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104467719A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 何阳 | 申请（专利权）人： | 何阳 |
| 主分类号： | H03G3/30 | 分类号： | H03G3/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | CMOS工艺恒定增益放大器，包括输入级对管和负载，其特征在于：所述输入级对管的非公共端之间还连接有阻值R符合GM*R>A的电阻器件,其中GM为输入级对管跨导，A为预设的离散参数。采用本发明所述CMOS工艺恒定增益放大器，用于电阻器件对流过两个差分之路的电流进行分流，使输入级的漏极电压近似，从而对输入级对管的跨导进行了平衡，运算放大器的增益跟随输入差分电压变化而的幅度大大缩小。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 恒定 增益 放大器 | ||
【主权项】：
CMOS工艺恒定增益放大器，基于CMOS工艺，包括输入级对管和负载，其特征在于：所述输入级对管的非公共端之间还连接有阻值R符合GM*R>A的电阻器件，其中GM为输入级对管跨导，A为预设的离散参数。
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