[发明专利]具有气隙的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310422333.9 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104103577B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李孝硕;廉胜振;林成沅;洪承希;李南烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L27/108;H01L23/532;H01L23/498;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成绝缘层；在绝缘层中形成开口部；在开口部的侧壁之上形成牺牲间隔件；在开口部的下部将第一导电图案形成在牺牲间隔件之上；在第一导电图案之上形成欧姆接触层；通过去除牺牲间隔件来形成气隙；通过在欧姆接触层之上形成阻挡层来覆盖气隙；以及在阻挡层之上形成第二导电图案以填充开口部的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底之上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成开口部；在所述开口部的侧壁之上形成牺牲间隔件；在所述开口部的下部将第一导电图案形成在所述牺牲间隔件之上；在所述第一导电图案之上形成欧姆接触层；通过去除所述牺牲间隔件来形成气隙；通过在所述欧姆接触层之上形成阻挡层来覆盖所述气隙；以及在所述阻挡层之上形成第二导电图案以填充所述开口部的上部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
