[发明专利]提高三维场效应晶体管驱动电流的方法

摘要

本发明提供一种提高三维场效应晶体管驱动电流的方法，包括在半导体衬底中形成NMOS区域和PMOS区域以及接触孔，接触孔的形成包括：在完成半导体器件前道工艺后，在整个半导体衬底上沉积金属前介质层；在金属前介质层中形成第一种接触孔结构，并填入第一种金属填充物，经化学机械抛光后形成第一种接触孔；然后在金属前介质层中形成第二种接触孔结构，并填入第二种金属填充物，经化学机械抛光后形成第二种接触孔；由于分别在第一接触孔结构和第二接触孔结构中填充了不同的金属填充物，从而能够同时提高NMOS沟道和PMOS沟道的应力，进一步提高器件的载流子迁移率和驱动电流。

主权项

1.一种提高三维场效应晶体管驱动电流的方法，包括依次在半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构、鳍形结构、栅极、源漏区域以及接触槽，从而在所述半导体衬底中形成NMOS区域和PMOS区域，其特征在于，所述接触槽的形成包括：/n步骤S01：在整个所述半导体衬底上沉积金属前介质层；/n步骤S02：经光刻和刻蚀，在所述金属前介质层中形成第一种接触槽；所述第一种接触槽为提高NMOS区域沟道应力的NMOS接触槽；其中包括：在NMOS接触沟槽中沉积阻挡层和填充导电材料；所述NMOS接触沟槽结构中沉积的阻挡层材料为Ti/TiN,所述填充导电材料为钨；/n步骤S03：经光刻和刻蚀，在所述金属前介质层中形成第二种接触槽；所述第二种接触槽为提高PMOS区域沟道应力的PMOS接触槽；其中包括：在PMOS接触沟槽中沉积阻挡层和填充导电材料；所述PMOS接触沟槽结构中沉积的阻挡层材料为Ti，PMOS接触沟槽中填充的导电材料为TiN；其中/n通过分别刻蚀出第一种接触槽结构和第二种接触槽结构，并分别在其中沉积不同的阻挡层和填充不同的导电材料，能够同时提高NMOS沟道的张应力和PMOS沟道的压应力，从而提高整个器件的载流子迁移率和驱动电流，并进一步提高器件的性能。/n