[发明专利]一种晶圆级高密度布线的简易制备方法无效
| 申请号： | 201310413745.6 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103441098A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 郭洪岩;张黎;赖志明;陈锦辉 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 彭英 |
| 地址： | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆级高密度布线的简易制备方法，属于半导体封装技术领域。其包括以下工艺过程：提供硅晶圆（100），所述硅晶圆（100）的表面形成电镀种子层（200）和电镀种子层（200）表面的布线A（310），相邻的所述布线A（310）之间设置间距；相邻的所述布线A（310）之间通过电镀的方式沉积布线B（320）；去除布线A（310）和布线B（320）之间无效区域的电镀种子层（200），形成布线A（310）与布线B（320）相间的布线格局。本发明可以降低工艺难度，避免了传统再布线工艺中的桥连问题，还可以形成具有高度差的布线格局，方便实际使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 高密度 布线 简易 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级高密度布线的简易制备方法，其包括以下工艺过程：提供硅晶圆（100），所述硅晶圆（100）的表面形成电镀种子层（200）和电镀种子层（200）表面的布线A（310），相邻的所述布线A（310）之间设置间距；相邻的所述布线A（310）之间通过电镀的方式沉积布线B（320）；去除布线A（310）和布线B（320）之间无效区域的电镀种子层（200），形成布线A（310）与布线B（320）相间的布线格局。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
