[发明专利]一种表层为SiC内层为ZrC的陶瓷基复合材料的制备方法无效
申请号: | 201310412274.7 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103722825A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 陈照峰;余盛杰 | 申请(专利权)人: | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
主分类号: | B32B18/00 | 分类号: | B32B18/00;C04B35/83;C04B35/565;C04B35/56;C04B35/622 |
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摘要: | 一种表层为SiC内层为ZrC的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于所述的陶瓷基复合材料是由中心层C/C复合材料、表层SiC、内层ZrC组成,其中C/C复合材料是镶嵌在SiC层和ZrC层之间。先采用CVI法制备多孔C/C预制体,放入无水乙醇中超声波振荡清洗,烘干后放入石墨坩埚中,把Si放在多孔C/C预制体的外侧表面,把Zr放在多孔C/C预制体内侧表面,然后先后放入管式炉中加热至高温,熔体依靠毛细管力浸渗到多孔体中反应获得表层为SiC内层为ZrC的陶瓷基复合材料。获得的CMC质量轻,强度高,孔隙率低,抗氧化和抗烧蚀能力强。制备周期短、成本低。 | ||
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【主权项】:
一种表层为SiC内层为ZrC的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于包括以下顺序的制备步骤:(1)采用平纹编织的碳布叠层制备二维碳纤维预制体;(2)采用CVI在碳纤维预制体上沉积热解C,经高温石墨化处理制成多孔C/C预制体;(3)将多孔C/C预制体放入无水乙醇中超声波清洗2~4次,在鼓风干燥箱中80~120℃烘3~5h,直至质量不变;(4)将烘干好的多孔C/C预制体放入石墨坩埚中;(5)把Si放在多孔C/C预制体的外表面,放入管式炉中,管式炉升温速率为8~10℃/min,加热升温到1400~1600℃,保温1~3h后随炉冷却;(6)把Zr放在多孔C/C预制体内侧表面,放入管式炉中,管式炉升温速率为8~10℃/min,加热升温到1900~2100℃,保温0.5~1.5h后随炉冷却;(7)取出复合材料,表面加工后即得到表层为SiC内层为ZrC的陶瓷基复合材料。
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