[发明专利]浅沟槽隔离的制备方法有效
| 申请号： | 201310407961.X | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104425347B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 陈建奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种浅沟槽隔离的制备方法，包括提供半导体基底，所述半导体基底由衬底、垫氧化层以及第一氮化层依次层叠形成，所述半导体基底中具有第一隔离结构；去除位于所述第一氮化层中的第一隔离结构的部分厚度；在所述半导体基底上形成第二氮化层，所述第二氮化层覆盖所述第一氮化层和第一隔离结构；刻蚀所述第二氮化层以形成在第一氮化层的侧壁的侧墙；去除所述第一氮化层和侧墙，形成所述浅沟槽隔离。那么在去除第一氮化层时，由于侧墙的存在，能够降低酸液对第一隔离结构的侵蚀，能够有效的减缓边沟的凹陷度，甚至避免了边沟的形成，进而使得浅沟槽隔离的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离的制备方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底由衬底、垫氧化层以及第一氮化层依次层叠形成，所述半导体基底中具有第一隔离结构，所述第一隔离结构为氧化物材质；去除位于所述第一氮化层中的第一隔离结构的部分厚度；在所述半导体基底上形成第二氮化层，所述第二氮化层覆盖所述第一氮化层和第一隔离结构；刻蚀所述第二氮化层以形成在第一氮化层的侧壁的侧墙；去除所述第一氮化层和侧墙，形成所述浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离的上表面高于所述垫氧化层的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
