[发明专利]基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法

摘要

本专利涉及一种基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法。是以两步化学转化法合成多孔半导体In2O3纳米材料，经过初步分离纯化后得到纯度较高的In2O3纳米线，并以此作为气敏性材料，组装成半导体气体传感器。该气体传感器的工作原理是根据半导体In2O3纳米线材料暴露在空气和待测气体中电信号（电阻、电压、电流等）的变化来进行检测和分析的。气体传感器能够对乙醇、丙酮、甲醛等常见的有机挥发性气体(VOCs)及氨气、硫化氢等有毒有害环境污染性气体有较好的响应，而且其响应程度（即灵敏度）与待测气体的浓度（或含量）直接相关，可用于气体的在线检测。

主权项

基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法，其特征在于：通过商品化In2O3粉末制备In2O3纳米材料，分离得到多孔In2O3一维纳米线材料，并用作制备传感器的气敏膜；包括了In2O3纳米材料的制备、In2O3纳米线的分离、以及气体传感器气敏膜的组装；(1)将用水调制成糊状的商品化In2O3粉末均匀涂抹在石英舟的内壁，干燥后放入到石英管式炉的正中心，于氨气流中高温反应3～8h；反应结束后，使石英管缓慢冷却至室温；将石英舟中得到的产物在空气氛围中高温煅烧2～5h，反应结束后，缓慢冷却到室温；(2)将步骤(1)所获得的产物除去直径2mm以上的大颗粒的金属铟球，剩下的纳米材料和金属铟粉分散于有机溶剂中；将分散溶液全部吸出，吸出的分散溶液搅拌6～12h后，离心，收集所得上清液，上清液再次离心后，收集得到的沉淀，将沉淀全部分散于无水乙醇中；(3)将带有一对金电极和铂引线的陶瓷管中穿过一根Ni‑Cr加热丝；取纳米线乙醇分散溶液，缓慢滴涂在陶瓷管外表面一对金电极之间成膜，老化24h。