[发明专利]基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法

权利要求书

1.基于In₂O₃纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法，其特征在于：通过商品化In₂O₃粉末制备In₂O₃纳米材料，分离得到多孔In₂O₃一维纳米线材料，并用作制备传感器的气敏膜；

包括了In₂O₃纳米材料的制备、In₂O₃纳米线的分离、以及气体传感器气敏膜的组装；

(1)将用水调制成糊状的商品化In₂O₃粉末均匀涂抹在石英舟的内壁，干燥后放入到石英管式炉的正中心，于氨气流中高温反应3～8h；反应结束后，使石英管缓慢冷却至室温；将石英舟中得到的产物在空气氛围中高温煅烧2～5h，反应结束后，缓慢冷却到室温；

(2)将步骤(1)所获得的产物除去直径2mm以上的大颗粒的金属铟球，剩下的纳米材料和金属铟粉分散于有机溶剂中；将分散溶液全部吸出，吸出的分散溶液搅拌6～12h后，离心，收集所得上清液，上清液再次离心后，收集得到的沉淀，将沉淀全部分散于无水乙醇中；

(3)将带有一对金电极和铂引线的陶瓷管中穿过一根Ni-Cr加热丝；取纳米线乙醇分散溶液，缓慢滴涂在陶瓷管外表面一对金电极之间成膜，老化24h。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述商品化In₂O₃为质量纯度大于等于99.99％的In₂O₃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(1)所述氨气流的流速为100～500mL/min；氨气中高温指600～800℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述空气氛围为流速为100～500mL/min的空气流；空气氛围中高温指500～700℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述离心速度为2000～5000rpm，离心时间为1～10min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述有机溶剂为乙醇、甲苯、己烷、正己烷、乙二醇、三氯苯酚、氯仿中的一种或二种以上。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述涂在长×外径为4mm×1.2mm陶瓷管外表面的纳米线乙醇分散溶液体积为5～200μL。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述老化温度控制在400～500℃。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：气敏膜可用于有机挥发性气体的实时检测。