[发明专利]一种基于磁场屏蔽性质的超导相微区检测方法

摘要

本发明属于超导体材料技术领域，具体涉及一种基于磁场屏蔽性质的超导相微区检测方法。本发明利用微区磁场强度高灵敏探测器，检测处于均匀外磁场中的超导体样品，在样品处于正常态时，磁场可以穿透样品，而当样品中一些区域从正常态转变为超导态时，该区域将对磁场产生屏蔽，探头检测到的磁场强度将显著下降，由此可以判别样品的局部区域完成了相变。本发明方法可在动态温度、磁场、电流条件下，检测超导体中超导相-正常相微区分布，也可以用于对磁性材料的磁畴、磁化强度检测及成像。

主权项

一种基于磁场屏蔽性质的超导相微区检测方法，其特征在于具体步骤为：（1）超导体材料样品置于样品台上保持低温，调节超导体工作电流和电磁铁的均匀磁场，使样品处于超导态；（2）调节样品台或微区磁场强度探测器探头位置，使二者之间有二维相对移动，在移动过程中，微区磁场强度探测器探头逐点探测样品表面的磁场强度；当样品中分布有正常相和超导相时，探头检测到的磁场强度将产生显著变化：处于超导态的区域将对磁场产生屏蔽，探头检测到的磁场强度将产生显著下降，由此可以判别样品的局部区域完成了相变，信号经转换和放大后由计算机系统记录并处理，最终形成二维显微图像，显示此时正常相与超导相的分布。