[发明专利]基于微结构栅绝缘层的压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310397699.5 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103490010A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;王凤霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;G01L1/16;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武;沈祖锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于微结构栅绝缘层的压力传感器包括依次设置的基底、有源层、栅绝缘层和柔性基底，其中，所述基底和有源层之间设置有源电极、漏电极，所述柔性基底和栅绝缘层之间设置有栅电极，所述栅绝缘层包括绝缘层以及所述绝缘层上的聚二甲基硅氧烷（PDMS）微结构，所述有源层为交联的半导体化合物纳米晶。本发明压力传感器包括栅电极、源电极、漏电极、栅绝缘层、有源层，其中，所述有源层为交联的有机半导体层材料的纳米晶，其通过有机半导体分子之间的相互作用力形成。上述压力传感器具有可溶液化制备、柔性、高灵敏性等特征。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 微结构 绝缘 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于微结构栅绝缘层的压力传感器，其特征在于，包括依次设置的基底、有源层、栅绝缘层和柔性基底，其中，所述基底和有源层之间设置有源电极、漏电极，所述柔性基底和栅绝缘层之间设置有栅电极，所述栅绝缘层包括绝缘层以及所述绝缘层上的PDMS微结构，所述有源层为交联的半导体化合物纳米晶。
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