[发明专利]一种半导体激光器的封装方法在审
| 申请号： | 201310392919.5 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104426054A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李明 | 申请（专利权）人： | 长贝光电（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体激光器的封装方法，包括以下步骤，在半导体激光器的芯片的制作过程中，对半导体激光器的芯片进行一次扩散处理，然后将半导体激光器的芯片在温度180℃至260℃下进行8至60小时的加热处理，让芯片内部结构进行二次充分扩散。本发明的有益效果是：本发明解决了芯片上金属电极P/N面与芯片半导体材料欧姆接触不良的问题，降低了发射半导体激光器的正向电压，使产品的报废率、不良率减少，使产品有效利用率大幅提高，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤，在半导体激光器的芯片的制作过程中，对半导体激光器的芯片进行一次扩散处理，然后将半导体激光器的芯片在温度180℃至260℃下进行8至60小时的加热处理，让芯片内部结构进行二次充分扩散。
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