[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201310392737.8 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104425259B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王万礼;邓小社;王根毅;芮强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其通过激光扫描工艺对衬底的背面进行平坦化工艺形成P型和N型间隔结构，激光扫描工艺可以只对需要退火的背面结构进行工艺，从而解决反向导通绝缘栅双极型晶体管的正面结构限制背面退火温度不能太高的问题，改善反向导通绝缘栅双极型晶体管的背面结构中N型和P型杂质激活效率不高现象，提高反向导通绝缘栅双极型晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 向导 绝缘 栅双极型 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，其特征在于，所述反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法包括如下步骤：提供正面形成IGBT结构的衬底；在所述衬底的背面注入P+离子形成有P+层；采用光刻、刻蚀工艺在所述衬底的背面形成沟槽；采用激光扫描工艺对所述衬底的背面进行平坦化处理形成P型和N型间隔结构，所述P型和N型间隔结构为所述反向导通型绝缘栅双极型晶体管的反向导通结构；进行背面金属化工艺，形成背面集电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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