[发明专利]超级结半导体器件的元胞结构和工艺实现方法

摘要

本发明公开了一种深槽型的超级结半导体器件的元胞结构和工艺实现方法，包括第一类型的重掺杂区，其上有第一类型外延漂移区；所述外延漂移区内的两侧有第二类型的外延柱区；第二类型的外延柱区之间有栅极沟槽；所述沟槽内部是栅极多晶硅和电介质隔离层；在所述栅极沟槽与半绝缘柱区之间形成第二类型掺杂的阱区；所述阱区上部形成第一类型掺杂的源区；所述第二类型掺杂的阱区内部有第二类型外延区；所述第二类型外延区下方有金属埋层。本发明能够有效降低超级结产品阱区的串联电阻，防止寄生晶体管的开启，从而提高器件抗雪崩击穿能力以及提高产品的相关的可靠性。

主权项

本发明公开了一种深槽型的超级结半导体器件的元胞结构和工艺实现方法，包括器件的衬底第一类型的重掺杂区【1】；位于衬底第一类型重掺杂区【1】之上的第一类型外延漂移区【2】；位于衬底重掺杂区【1】之上且位于外延漂移区【2】内的两侧的第二类型的外延柱区【3】；在所述第二类型的外延柱区【3】之间有栅极沟槽【4】；所述沟槽内部是栅极多晶硅【6】；所述栅极沟槽【4】与栅极多晶硅【6】之间有电介质隔离层【5】；在所述栅极沟槽【4】与半绝缘柱区【3】之间形成第二类型掺杂的阱区【7】；所述阱区上部形成第一类型掺杂的源区【8】；源区【8】和阱区【7】通过接触孔【11】连接电位；所述第二类型掺杂的阱区【7】内部有第二类型外延区【10】；所述第二类型外延区【10】下方有金属埋层【9】，金属埋层【9】和所述接触孔【11】相连。