[发明专利]一种无静态功耗的芯片打线选择电路有效

专利信息
申请号: 201310391755.4 申请日: 2013-09-02
公开(公告)号: CN103457599B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 赵东世 申请(专利权)人: 矽恩微电子(厦门)有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 廖吉保
地址: 361000 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种无静态功耗的芯片打线选择电路;PMOS管T1的D极与电路控制端及电路受控端连接,G极接电容C1及电阻R 2一端,还接PMOS管T4的D极;PMOS管T1的S极串联电阻R1后接VDD、PMOS管T4的S极和G极及PMOS管T2的S极;电容C1的另一端接GND;电阻R2的另一端同时接PMOS管T2与NMOS管T3的D极,NMOS管T3的S极接GND,而PMOS管T2与NMOS管T3的G极相接后连接电路受控端。本发明只有电路控制端连接GND时需一根连接线,且电路控制端连接GND或者悬空都无静态功耗。
搜索关键词: 一种 静态 功耗 芯片 选择 电路
【主权项】:
1.一种无静态功耗的芯片打线选择电路,其特征在于:包括PMOS管T1、电阻R1、电容C1、PMOS管T2、NMOS管T3、电阻R2及PMOS管T4;PMOS管T1的D极与电路控制端及电路受控端连接,G极接电容C1及电阻R 2一端,还接PMOS管T4的D极;PMOS管T1的S极串联电阻R1后接VDD、PMOS管T4的S极和G极及PMOS管T2的S极;电容C1的另一端接GND;电阻R2的另一端同时接PMOS管T2与NMOS管T3的D极,NMOS管T3的S极接GND,而PMOS管T2与NMOS管T3的G极相接后连接电路受控端;合理设置宽长比,使PMOS管T4以及PMOS管T2的宽长比小于NMOS管T3的宽长比,确保芯片上电时PMOS管T1的G极为低电位,T1导通。
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