[发明专利]一种反向导通场截止绝缘栅双极型晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出场截止层；向场截止层注入第一掺杂类型的离子；在N型硅片表面光刻并腐蚀出多个凹槽；向凹槽内填充第二掺杂类型的硅，在N型硅片表面形成背面PN交隔结构；在背面PN交隔结构表面形成氧化层；提供衬底，并将衬底与N型硅片键合在一起；采用IGBT正面工艺制备出IGBT正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的衬底进行减薄至氧化层；湿法腐蚀去除氧化层；在背面PN交隔结构表面形成背面金属电极。本发明将N型硅片与衬底键合得到与常规流通圆片厚度相同的圆片，减少了对专用薄片流通设备的需求，降低了成本。

主权项

一种反向导通场截止绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括下列步骤：提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出N+层，推阱后得到场截止层，N型硅片除场截止层以外的部分作为漂移区；向所述场截止层注入第一掺杂类型的离子；在所述N型硅片注入有第一掺杂类型离子的表面光刻并腐蚀出多个凹槽，清理所述N型硅片表面完成去胶；向所述凹槽内填充第二掺杂类型的硅材料，在所述N型硅片表面形成背面PN交隔结构；所述第二掺杂类型与第一掺杂类型的电性相反；在所述背面PN交隔结构表面形成氧化层；提供衬底，并将所述衬底与所述N型硅片形成有背面PN交隔结构的表面键合在一起，得到一块与常规流通硅片厚度一致的键合硅片；采用绝缘栅双极型晶体管正面工艺在所述漂移区内和漂移区上制备出绝缘栅双极型晶体管正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的所述衬底进行减薄至所述氧化层；湿法腐蚀去除所述氧化层；在所述背面PN交隔结构背离所述场截止层的表面形成背面金属电极。