[发明专利]反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种反向导通FS IGBT的制造方法，包括：提供第一掺杂类型的硅衬底；通过光刻和离子注入向硅衬底内注入第二掺杂类型的离子，在硅衬底的表面形成背面PN交隔结构；提供N型硅片，并在N型硅片表面制备出N+层，推阱后得到场截止层；将硅衬底和N型硅片键合在一起；采用IGBT正面工艺在所述漂移区内和漂移区上制备出IGBT正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的硅衬底减薄至背面PN交隔结构处；在背面PN交隔结构表面形成背面金属电极。本发明于正面工艺之前直接在衬底上制作背面PN交隔结构。FS层用N型硅片先注入（或扩散）再高温推阱方式制备，N型硅片与衬底硅片键合得到与常规流通圆片厚度相同的圆片，无需专用薄片流通设备，降低了成本。

主权项

一种反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括下列步骤：提供第一掺杂类型的硅衬底；通过光刻和离子注入向所述硅衬底内注入第二掺杂类型的离子，在所述硅衬底的表面形成背面PN交隔结构，并清理硅衬底的表面完成去胶，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型的电性相反；提供N型硅片，并在所述N型硅片表面制备出N+层，推阱后得到N+的场截止层，N型硅片的除场截止层以外的部分作为漂移区；将所述硅衬底形成有所述背面PN交隔结构的表面和所述N型硅片制备有场截止层的表面键合在一起，得到一块与常规流通硅片厚度一致的键合硅片；采用绝缘栅双极型晶体管正面工艺在所述漂移区内和漂移区上制备出绝缘栅双极型晶体管正面结构；将完成了正面工艺的键合硅片的所述硅衬底减薄至所述背面PN交隔结构处；在所述背面PN交隔结构背离所述场截止层的表面形成背面金属电极。