[发明专利]温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310384551.8 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN103467097A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 张为军;刘卓峰;白书欣;堵永国;陈兴宇 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/462;C04B35/622
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 赵洪
地址: 410073 *** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,该微波介质陶瓷由80%~95%的BaNd2Ti4O12与5%~20%的Bi4B2O9组成。制备方法包括以下步骤:(1)将BaO、Nd2O3和TiO2混合制备BaNd2Ti4O12粉体;(2)将Bi2O3与B2O3或者Bi2O3与H3BO3混合制备Bi4B2O9粉体;(3)将BaNd2Ti4O12粉体与Bi4B2O9粉体混合制备温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷。本发明的微波介质陶瓷具有高介电常数、低介电损耗、和接近于零谐振频率温度系数,制备方法工艺简单、操作方便。
搜索关键词: 温度 稳定 介电常数 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
一种温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷由BaNd2Ti4O12与Bi4B2O9组成,其中BaNd2Ti4O12的质量分数为80%~95%,Bi4B2O9的质量分数为5%~20%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学,未经中国人民解放军国防科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310384551.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top