[发明专利]一种基于铁电隧道结的压电存储器单元及其制备方法有效
申请号: | 201310384107.6 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN103427016A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 王金斌;袁硕果;钟向丽;陈婷;李波;周益春 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L41/047 | 分类号: | H01L41/047;H01L41/113;H01L41/29;H01L41/331 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人: | 魏娟 |
地址: | 411105*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于铁电隧道结的压电存储器单元及其制备方法,该压电存储器单元是衬底上由下到上依次为底电极层、超薄铁电层和顶电极层;制备方法是先在衬底上沉积底电极层,在底电极层上通过脉冲激光沉积方法制备超薄铁电层,再在所制得的超薄铁电层上生成顶电极层,即得;制得的压电存储器单元具有高压电系数,能实现非破坏性读取且储存密度高,此外底电极和顶电极可以采用相同或不同的金属电极或金属氧化物电极,克服了以往只能采用不对称电极的局限,有利于实现工业化。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 隧道 压电 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于铁电隧道结的压电存储器单元,其特征在于,衬底上由下到上依次为底电极层、超薄铁电层和顶电极层;所述的超薄铁电层由钛酸钡、钛酸铅、锆钛酸铅、铁酸铋、钛酸钕铋、铌酸钾钠中一种材料构成;所述的超薄铁电层厚度为2~20nm;其中,底电极层和顶电极层的构成材料相同或不同。
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