[发明专利]沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法无效
| 申请号： | 201310380403.9 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103441152A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 郑柳;孙国胜;张峰;刘兴昉;王雷;赵万顺;闫果果;董林;刘胜北;刘斌;田丽欣;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法，其中沟槽型MOS势垒肖特基二极管，包括：一衬底；一外延薄膜，其制作在衬底上，该外延薄膜的中间有一凸台，该凸台的侧壁为平面；一保护环，其制作在外延薄膜的凸台的周围，并位于凸台周围的平面向下；一绝缘介质薄膜，其制作在外延薄膜的凸台周围的侧壁上，高度与外延薄膜的凸台齐平，并位于保护环上，位于保护环上的部分的高度低于凸台的表面，其断面为L形；一肖特基接触金属，其制作在绝缘介质薄膜的表面，并覆盖外延薄膜凸台的表面；一第一压焊块，其覆盖于肖特基接触金属的表面；一欧姆接触金属，其制作在衬底的背面；一第二压焊块，其制作在欧姆接触金属的背面，其可以进一步降低碳化硅电力电子器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 势垒肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型MOS势垒肖特基二极管，包括：一衬底；一外延薄膜，其制作在衬底上，该外延薄膜的中间有一凸台，该凸台的侧壁为平面；一保护环，其制作在外延薄膜的凸台的周围，并位于凸台周围的平面向下；一绝缘介质薄膜，其制作在外延薄膜的凸台周围的侧壁上，高度与外延薄膜的凸台齐平，并位于保护环上，位于保护环上的部分的高度低于凸台的表面，其断面为L形；一肖特基接触金属，其制作在绝缘介质薄膜的表面，并覆盖外延薄膜凸台的表面；一第一压焊块，其覆盖于肖特基接触金属的表面；一欧姆接触金属，其制作在衬底的背面；一第二压焊块，其制作在欧姆接触金属的背面。
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